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BSS84P H6327 发布时间 时间:2025/4/30 16:57:42 查看 阅读:19

BSS84P是一种NPN型小信号晶体管,广泛应用于各种电子电路中。该器件属于H6327系列,具有低噪声、高增益的特点,适用于高频放大器、混频器和振荡器等应用。BSS84P晶体管通常被用于需要低功耗和高效率的场景,其出色的电气性能使其成为许多设计中的理想选择。
  该器件采用小型化封装技术,能够有效节省电路板空间,同时保持良好的散热性能。

参数

集电极-发射极电压:50V
  集电极电流:200mA
  功率耗散:310mW
  直流电流增益(hFE):100~400
  过渡频率(ft):250MHz
  存储温度范围:-55°C to +150°C
  工作结温:-55°C to +150°C
  封装形式:SOT-343

特性

BSS84P晶体管具备以下主要特性:
  1. 高增益范围,适合用于信号放大的场合。
  2. 低噪声设计,能够在高频应用中提供更清晰的信号处理。
  3. 小型化封装,便于在紧凑型设计中使用。
  4. 宽广的工作温度范围,确保在恶劣环境下的稳定性。
  5. 高过渡频率,支持高频电路的应用需求。
  6. 良好的热稳定性,适合长时间连续工作的场景。

应用

BSS84P晶体管可以应用于以下领域:
  1. 音频放大器及信号调节电路。
  2. 高频通信设备中的混频器和振荡器。
  3. 便携式电子产品中的低功耗电路。
  4. 开关电源的驱动级控制。
  5. 各种消费类电子产品,如手机、平板电脑等的信号处理模块。
  6. 工业自动化设备中的信号放大与处理单元。

替代型号

BSS84, MPSH10, MMBT5089

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BSS84P H6327参数

  • 制造商Infineon
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压- 60 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流- 0.17 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)8 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体PG-SOT23-3
  • 封装Reel
  • 下降时间20.5 ns
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值)0.13 S
  • 栅极电荷 Qg1 nC
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散0.36 W
  • 上升时间16.2 ns
  • 典型关闭延迟时间8.6 ns
  • 零件号别名BSS84PH6327XTSA1 BSS84PH6327XTSA2 SP000702496